ຫລັງ​ຈາກ​ມີ​ຂ່າວ​ລື​ຫລວງຫລາຍ​ອອກ​ມາ​ຢູ່​ເປັນ​ໄລ​ຍະ​ສຳລັບ​ຊິບ​ເຊັດ​ເຈນ​ໃໝ່​ຈາກ Qualcomm ຢ່າງ Snapdragon 820 ທີ່​ມີ​ການ​ຄາດ​ການ​ວ່າ​ຈະ​ປະ​ສົບ​ບັນຫາ​ຄວາມ​ຮ້ອນ​ຜິດ​ປົກກະຕິ​ເຊັ່ນ​ດຽວ​ກັບ​ລຸ້ນ​ກ່ອນ​ໜ້ານີ້ ແຕ່​ຫລ້າ​ສຸດ Qualcomm ກໍ​ອອກ​ມາ​ປະຕິເສດ​ເລື່ອງ​ນີ້​ຢ່າງ​ເປັນ​ທາງ​ການ​ແລ້ວ

Qualcomm China ໄດ້​ອອກ​ມາ​ຢືນຢັນ​ຜ່ານ​ເວັບ​ໄຊຕ໌ Weibo ວ່າ ບັນຫາ​ເລື່ອງ​ຄວາມ​ຮ້ອນ​ທີ່ເກີດຂື້ນ​ໃນ Snapdragon 810 ນັ້ນ​ຈະ​ບໍ່​ເກີດ​ຂຶ້ນ​ອີກ​ຢ່າງ​ແນ່ນອນ ແລະ​ລະ​ບຸ​ວ່າ Snapdragon 820 ຈະ​ໃຊ້​ການ​ຜະລິດ​ດ້ວຍ​ເທກ​ໂນ​ໂລ​ຍີ​ແບບ 14 nm FinFET ຊຶ່ງ​ຈະ​ສົ່ງ​ຜົນ​ໃຫ້​ຊິບ​ດັ່ງ​ກ່າວ​ມີ​ປະ​ສິດ​ທິ​ພາບ​ທີ່​ດີ​ຂຶ້ນ​ທຸກ​ດ້ານ​ເໜືອ​ກວ່າ​ຊິບ​ລຸ້ນ 810 ເຖິງ​ສອງ​ເທົ່າ​

ທັງ​ນີ້ ມີ​ຂ່າວ​ລື​ວ່າ Samsung Galaxy S7 ​ຕົວ​ໃໝ່​ທີ່​ຈະ​ອອກ​ໃນ​​ຕົ້ນ​ປີ​ໜ້າ​ນັ້ນ ອາດຈະ​ໃຊ້​ຊິບ Snapdragon 820 ຫລື Exynos 8890 ທີ່​ມີ​ລາຍ​ງານ​ວ່າ Samsung ກຽມ​ຈະ​ເຂົ້າ​ສູ່​ການ​ຜະລິດ​ເຕັມ​ຕົວ​ໃນ​ເດືອນ​ທັນວາ​ນີ້